中科院苏州纳米所所长特别助理、苏州纳米所测试分析平台中心主任、苏州纳维董事长徐科对《中国科学报》记者说:“通过10年努力,我们在氮化镓晶体结晶质量与块体材料电子迁移率等综合指标方面均步入国际第一方阵,2英寸氮化镓产品开始批量生产销售,2017年在国际上率先推出4英寸氮化镓单晶衬底,用户覆盖了国内外80%以上的研发机构和企业。” ...
碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓(GaN)的晶格失配小,SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。...
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