KS C IEC 62276-2019由KR-KS 发布于 2019-11-15。
KS C IEC 62276-2019在国际标准分类中归属于: 31.140 频率控制和选择用压电器件与介质器件。
研磨指通过研磨的方法,除去切片和轮磨所造成的硅片表面锯痕及表面的损伤层,有效改善单晶硅片的翘曲度、平坦度与平行度,达到一个抛光过程可以处理的规格。硅片研磨质量直接影响到抛光质量及抛光工序的整体效率,甚至影响到IC的性能。...
单晶硅片主要是125mm×125mm; 多晶硅片主要是125mm×125mm和156mm×156mm两种规格。 外观区别 多晶硅硅片相对于单晶硅硅片,有明显的多晶特性,表面有一个个晶粒形状,而单晶硅硅片表面颜色均匀一致。 单晶硅硅片因为使用硅棒原因,四角有圆形大倒角,而多晶硅硅片一般采用小倒角。 ...
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