找不到引用GB/T 42905-2023 的标准
不知您是否为外延层厚度无损分析问题而困扰，在此我们介绍一种光学无损外延层厚度分析技术——傅立叶变换红外反射光谱法（FTIR）。 红外光谱法可用于测量半导体外延层厚度，无论硅基还是化合物半导体，且测量精度极高。此方法是基于红外光在层状结构中产生的光干涉效应的分析，结合基础的物理自洽拟合模型，充分利用所测得的光谱特征，拟合计算给出准确的层厚厚度值。...
磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)中硼和 磷的定量分析 分析SiN等离子层和Si-O基钝化层 分析超低K层 厚度分析 VERTEX 系列光谱仪可用于测量半导体层状结构 中的层厚度，精度极高。此应用是基于对红外光 在层状结构中产生的光干涉效应的分析，可用于 亚微米量级至毫米量级的厚度分析。 用反射或透射实验分析层厚度。 专用的分析软件，用于分析复杂的层状结构。...
高质量 SiC 外延材料是 SiC 功率器件的基础材料，目前的国内外电力电子器件需要的碳化硅外延材料的发展趋势都是向大直径、低缺陷、高度均匀性等方向发展。 专利情况：中科院半导体所 2 项。市场分析及应用情况： 首先，该项目的进行将为发展电网用碳化硅电力电子器件提供最重要的技术支持。目前，几乎所有的碳化硅器件都是在碳化硅外延层上制备的。...
主要内容包含：碳化硅晶体中氮施主杂质分析晶圆自动多点、单层或多层同质、异质外延层厚度光学无损测试和分析III-V族化合物半导体异质结构(多量子阱，超晶格)及其红外发光、探测器件（ICL, QCL, T2SL）研发中相关光谱学应用直播平台：腾讯会议报名方式长按识别下方二维码报名： ...
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