T/QGCML 2041-2023由中国团体标准 CN-TUANTI 发布于 2023-11-01，并于 2023-11-15 实施。
T/QGCML 2041-2023在国际标准分类中归属于: 35.240.01 信息技术应用综合。
T/QGCML 2041-2023 878 nm高功率半导体激光器芯片的最新版本是哪一版？
最新版本是 T/QGCML 2041-2023 。
本文件规定了878 nm高功率半导体激光器芯片的术语和定义、技术要求、检验规则、包装、注意事项、贮存与运输要求。 本文件适用于878 nm高功率半导体激光器芯片生产及检验。
它是电流注入型半导体PN结光发射器件，具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽，转换效率高、高可靠和易于集成等特点，产品波长覆盖范围从405nm一直到2200nm，功率覆盖范围从5瓦至千瓦级别，广泛应用于高功率固体激光器泵浦源、医疗、照明、国防、材料加工以及科研等市场。 半导体激光器的关键技术： .结构设计优化 半导体激光器的发展与其外延与芯片结构的研究设计紧密相关。...
它是电流注入型半导体PN结光发射器件，具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽，转换效率高、高可靠和易于集成等特点，产品波长覆盖范围从405nm一直到2200nm，功率覆盖范围从5瓦至千瓦级别，广泛应用于高功率固体激光器泵浦源、医疗、照明、国防、材料加工以及科研等市场。 半导体激光器的关键技术： .结构设计优化 半导体激光器的发展与其外延与芯片结构的研究设计紧密相关。结构设计是激光器器件的基础。...
划重点半导体激光器芯片（CWLD）：· 输出功率分别为12 W和22 W，对应条宽分别为100 μm和190 μmFAC：· 800 nm~1050 nm波长范围内透过率达99%以上，可定制模块化产品为了解决大功率半导体激光器封装的问题，滨松可为客户提供巴条模块和叠阵模块供选择。...
从20世纪70年代末开始，半导体激光器明显向着两个方向发展，一类是以传递信息为目的的信息型激光器.另一类是以提高光功率为目的的功率型激光器.在泵浦固体激光器等应用的推动下，高功率半导体激光器（连续输出功率在100W 以上，脉冲输出功率在5W以上，均可称之谓高功率半导体激光器）在20世纪90年代取得了突破性进展，其标志是半导体激光器的输出功率显著增加，国外千瓦级的高功率半导体激光器已经商品化，国内样品器件输出已达到...
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