此时,用外延生长法外延一层杂质浓度低(约10 15 cm-3)的供形成的单晶层、衬底则为高浓度的基片,以降低电阻,达到基极电位稳定的目的。LPE可以在平面或非平面衬底生长、能获得十分完善的结构。...
不知您是否为外延层厚度无损分析问题而困扰,在此我们介绍一种光学无损外延层厚度分析技术——傅立叶变换红外反射光谱法(FTIR)。 红外光谱法可用于测量半导体外延层厚度,无论硅基还是化合物半导体,且测量精度极高。此方法是基于红外光在层状结构中产生的光干涉效应的分析,结合基础的物理自洽拟合模型,充分利用所测得的光谱特征,拟合计算给出准确的层厚厚度值。...
衍射峰位置的分析提供了各层相对于硅衬底的晶格参数的信息。衍射峰的宽度与薄膜厚度成反比,通过拟合干涉条纹,可测量SiGe层的厚度。...
磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)中硼和 磷的定量分析 分析SiN等离子层和Si-O基钝化层 分析超低K层 厚度分析 VERTEX 系列光谱仪可用于测量半导体层状结构 中的层厚度,精度极高。此应用是基于对红外光 在层状结构中产生的光干涉效应的分析,可用于 亚微米量级至毫米量级的厚度分析。 用反射或透射实验分析层厚度。 专用的分析软件,用于分析复杂的层状结构。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号