通过离子研磨及金相处理后可以清晰看到裂纹沿着金属细化区中晶界面边界延伸(该细化区是由于键合造成的晶粒重构尺寸变化)。进一步使用FIB处理后再用TEM放大分析,同时可见源区个别晶界也产生裂纹并延伸到衬底。【1,2】案例三:温度试验后铝电极黑化分析背景介绍:器件做完温度冲击类(IOL、TC)试验后,内部电极铝PAD严重变黑机理分析:变黑原因主要是铝层发生金属化重建造成表面变粗糙,发生漫反射变黑。...
键合丝半导体用键合丝是用来焊接连接芯片与支架,承担着芯片与外界之间关键的电连接功能。键合丝的材料已经从过去的单一材料,逐步发展为金、银、铜、铝用相关复合材料组成的多品种产品。引线框架引线框架作为半导体的芯片载体,是一种借助于键合丝实现芯片内部电路引出端与外部电路(PCB)的电气连接,形成电气回路的关键结构件。...
2.3 标准主要内容图1是以微电子工艺为主要技术实现的MEMS结构示意图。图1中,圆圈所示的位置为键合区域。MEMS中该键合区域的尺寸为微米量级。在微米量级下,精确测量键合强度难度极大。而我国新提出的国际标准提案中,提出了小尺寸区域剪切和拉压键合强度快速准确测量、判断键合工艺质量的方法。标准中提出了拉压法和剪切法。...
对于金属引线键合式焊接的封装结构,寄生电感主要来自于键合线,其寄生电感可近似表示为式中:l为键合线长度,l= w1/2+a1;μ0 = 4 ×10-7,是真空磁导率;d为铝键合线的直径。参照文献[30]对键合线进行仿真,结果如图 4所示。经验证与式(1)的数据拟合结果基本一致。...
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