GB/T 8646-1998
半导体键合铝-1%硅细丝

Fine aluminum-1% silicon wire for semiconductor lend-bonding

GBT8646-1998, GB8646-1998

2007-09

GB/T 8646-1998 中,可能用到以下仪器

 

EVG 850DB  自动解键合系统

EVG 850DB 自动解键合系统

北京亚科晨旭科技有限公司

 

EVG800系列键合机:临时键合解键合805DB

EVG800系列键合机:临时键合解键合805DB

北京亚科晨旭科技有限公司

 

EVG 805  Debonding System临时键合

EVG 805 Debonding System临时键合

北京亚科晨旭科技有限公司

 

EVG500系列键合机:EVG501

EVG500系列键合机:EVG501

北京亚科晨旭科技有限公司

 

EVG 850   SOI的自动化生产键合系统

EVG 850 SOI的自动化生产键合系统

北京亚科晨旭科技有限公司

 

EVG500系列键合机:EVG520IS

EVG500系列键合机:EVG520IS

北京亚科晨旭科技有限公司

 

标准号
GB/T 8646-1998
别名
GBT8646-1998
GB8646-1998
发布
1998年
采用标准
ASTM F487-88 REF
发布单位
国家质检总局
当前最新
GB/T 8646-1998
 
 
代替标准
YS/T 543-2006
被代替标准
GB/T 8646-1988
本标准规定了半导体键合铝-1%硅细丝的要求、试验方法、检验规则及包装、标志、运输、贮存。 本标准适用于半导体键合用圆形拉制A1-1%Si合金丝。

GB/T 8646-1998相似标准


推荐

安全 | 车载功率半导体常见失效机理及案例(封装篇)

通过离子研磨及金相处理后可以清晰看到裂纹沿着金属细化区中晶界面边界延伸(该细化区是由于造成的晶粒重构尺寸变化)。进一步使用FIB处理后再用TEM放大分析,同时可见源区个别晶界也产生裂纹并延伸到衬底。【1,2】案例三:温度试验后电极黑化分析背景介绍:器件做完温度冲击类(IOL、TC)试验后,内部电极PAD严重变黑机理分析:变黑原因主要是层发生金属化重建造成表面变粗糙,发生漫反射变黑。...

【干货】全面盘点半导体材料产业链全貌

半导体丝是用来焊接连接芯片与支架,承担着芯片与外界之间关键的电连接功能。丝的材料已经从过去的单一材料,逐步发展为金、银、铜、用相关复合材料组成的多品种产品。引线框架引线框架作为半导体的芯片载体,是一种借助于丝实现芯片内部电路引出端与外部电路(PCB)的电气连接,形成电气回路的关键结构件。...

基MEMS制造技术检测方法国际提案介绍

2.3 标准主要内容图1是以微电子工艺为主要技术实现的MEMS结构示意图。图1中,圆圈所示的位置为区域。MEMS中该区域的尺寸为微米量级。在微米量级下,精确测量强度难度极大。而我国新提出的国际标准提案中,提出了小尺寸区域剪切和拉压强度快速准确测量、判断工艺质量的方法。标准中提出了拉压法和剪切法。...

SiC功率模块封装技术及展望

对于金属引线合式焊接的封装结构,寄生电感主要来自于线,其寄生电感可近似表示为式中:l为线长度,l= w1/2+a1;μ0 = 4 ×10-7,是真空磁导率;d为线的直径。参照文献[30]对线进行仿真,结果如图 4所示。经验证与式(1)的数据拟合结果基本一致。...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号