磊晶圆需要特殊的机台,同时砷化镓原材料成本高出硅很多,最终导致砷化镓成品IC成本比较高。磊晶目前有两种,一种是化学的MOCVD,一种是物理的MBE。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用MOVPE和LPE技术,其中MOVPE方法制备GaAs薄膜电池受衬底位错,反应压力,III-V比率,总流量等诸多参数的影响。 GaAs(砷化镓)光电池大多采用液相外延法或MOCVD技术制备。...
磊晶圆需要特殊的机台,同时砷化镓原材料成本高出硅很多,最终导致砷化镓成品IC成本比较高。磊晶目前有两种,一种是化学的MOCVD,一种是物理的MBE。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用MOVPE和LPE技术,其中MOVPE方法制备GaAs薄膜电池受衬底位错,反应压力,III-V比率,总流量等诸多参数的影响。 GaAs(砷化镓)光电池大多采用液相外延法或MOCVD技术制备。...
氮化镓 GaN 在宽禁带半导体材料中,氮化镓(GaN)由于受到缺乏合适的单晶衬底材料、位错密度大等问题的困扰,发展较为缓慢,但进入 90 年代后,随着材料生长和器件工艺水平的不断发展,GaN 半导体材料及器件的发展十分迅速,目前已经成为宽禁带半导体材料中耀眼的新星。 GaN 半导体材料的应用首先是在发光器件领域取得重大突破的。...
最早的同质结型砷化镓(GaAs)半导体激光器,在一块经过加工的砷化镓单晶体的上、下两面上(p型与n型砷化镓)分别焊上电极,组成谐振腔的两端面要平行,并经过研磨抛光,甚至涂膜,以增加反射,也可以直接利用平行的平坦晶面(自然解理面)组成谐振腔。砷化镓的折射率约为3.6,在半导体与空气的分界面上反射率高于30%,因此,它可提供光反馈作用,使激光振荡能够产生,激光波长约为9040Å。...
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