This part of IEC 60749 defines the rapid change of temperature test method and the two-fluid-bath method. When both test methods are performed as part of a device qualification, results of air to air temperature cycling take priority over this two-fluid-bath test method. This test method may also be used, employing fewer cycles (e.g. 5 to 10 cycles), to test the effect of immersion in heated liquids that are used for the purpose of cleaning devices. This test is applicable to all semiconductor devices. It is considered destructive unless otherwise detailed in the relevant specification. In general, this rapid change of temperature and two-fluid bath method test is in conformity with IEC 60068-2-14 but, due to specific requirements of semiconductors, the clauses of this standard apply.
IEC 60749-11-2002由国际电工委员会 IX-IEC 发布于 2002-04。
IEC 60749-11-2002 在中国标准分类中归属于: L40 半导体分立器件综合,在国际标准分类中归属于: 31.080.01 半导体器分立件综合。
IEC 60749-11-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分: 温度的急速变化.双液电镀槽法 由 IEC 60749-1996 变更而来。
IEC 60749-11-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分: 温度的急速变化.双液电镀槽法 由 IEC 60749 AMD 1-2000 变更而来。
IEC 60749-11-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分: 温度的急速变化.双液电镀槽法 由 IEC 60749 AMD 2-2001 变更而来。
IEC 60749-11-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分: 温度的急速变化.双液电镀槽法 由 IEC 60749 Edition 2.2-2002 变更而来。
IEC 60749-11-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分: 温度的急速变化.双液电镀槽法 由 IEC/PAS 62185-2000 变更而来。
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