The complete requirements for the interconnect system described herein shall consist of this Detail Specification and where applicable the latest issue of EIA-E700A000 Sectional Specification.
ECA 700AOAC-1996由美国电子元器件、组件及材料协会 US-ECA 发布于 1996-08-01,并于 1996-08-01 实施。
ECA 700AOAC-1996 在中国标准分类中归属于: L65 系统设备接口,在国际标准分类中归属于: 33.020 电信综合。
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如今,电容器是建立在硅上方的互连层中的,因此密度不仅受晶体管尺寸的影响,还受互连几何形状的影响。LMC集团在已发表的文献中可以找到的最高D M值来自三星。在2018年,该公司详细介绍了DRAM技术,密度为每平方毫米(200M)2亿个单元。DRAM可能并不总是保持其作为主存储器的位置。...
(2)顺序集成CFET的挑战主要在于两个器件层的键合、对准偏差、上下层栅极互连、热预算控制、两层间距、成本等。对于键合时的隔离介质二氧化硅的厚度控制:太厚导致环形振荡器(Ring Oscillator, RO)速度退化;太薄带来键合缺陷风险。...
一个DRAM单元包括控制着电容器访问的单个晶体管,而电容器将比特存储为电荷。电荷会随着时间的推移而泄漏,因此必须定期刷新单元。如今,电容器建立在硅上方的互连层,因此密度不仅受晶体管尺寸的影响,还受互连的几何形状的影响。LMC小组在已出版文献中能找到的最高DM值来自三星。2018年,该公司详细介绍了DRAM技术,其密度为每平方毫米2亿个单元(200M)。DRAM可能也无法一直维持在主存储器中的地位。...
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