XRF是一项用于分析晶圆、引线框架和印刷电路板上沉积层的成熟技术,但是,由于其体积变得非常小,老式XRF光谱仪提供可靠结果的能力受到了挑战。为晶元级封装分析而设计的XRF光谱仪:FT150日立分析仪器开发了XRF光谱仪,特别适用于验证集成电路基材、凸块下金属层、引线框架电镀和印刷电路板电镀。FT150光谱仪包括最新的X射线荧光技术,提供纳米级电镀的高精度测量结果。...
基于这个资料,流经MOSFET的电流可以用公式 ILoad = VRDS(ON) / RDS(ON)计算得出。 由于界面区域电阻的微小变化和TCR效应,RDS(ON)的每个组成部分都会造成测量误差。通过测量温度,及用由温度引起的电阻预期变化来修正被测电压,可以对TCR效应部分地加以补偿。很多时候,MOSFET的TCR会高达4000ppm/℃,相当于温度上升100℃,电阻的变化达到40%。...
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