JEDEC JEP122C-2006
硅半导体器件的故障机制和模式

Failure Mechanisms and Models for Silicon Semiconductor Devices


标准号
JEDEC JEP122C-2006
发布
2006年
发布单位
(美国)固态技术协会,隶属EIA
 
 
适用范围
加速测试通常用于查找和识别半导体器件中的潜在故障机制,并估计其在电子系统中的发生率。研究最大应力故障率和系统故障率之间关系的历史方法是为给定产品或产品组选择单个代表性“等效”热活化能。单个最佳估计激活能量值有助于准确估计系统应用中设备故障率估计的加速因子。虽然这种方法因其简单性和与产品的直接关系而被业界普遍接受,但人们还开发了另一种方法,即故障率总和法,它提供了有关设备故障原因的更多信息。

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