JEDEC JES2-1992
电晶体,砷化镓场效应晶体管,总规范

Transistor, Gallium Arsenide Power Fet, Generic Specification


 

 

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 JEDEC JES2-1992 前三页，或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准，
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购（由第三方提供）。

 

标准号
JEDEC JES2-1992
发布
1992年
发布单位
(美国)固态技术协会,隶属EIA
当前最新
JEDEC JES2-1992
 
 
适用范围
该规范为设计用于高可靠性空间应用（例如航天器通信发射器）的砷化镓功率场效应晶体管（FET，也称为 MESFET）制定了指导要求和质量保证规定。该规范确定了与功率 GaAs FET 相关的电气参数、晶圆验收测试、筛选测试、资格测试和批次验收检验测试。出于本规范的目的，功率 GaAs FET 被定义为用作压缩操作的 RF 放大器。该规范旨在适用于封装和芯片载体部件；因此，部分规范可能不适用于未封装和未安装的芯片

JEDEC JES2-1992相似标准

SJ 50033/42-1994 半导体分立器件.CSO467型砷化镓微波场效应晶体管详细规范 SJ 50033/78-1995 半导体分立器件.CS0464型砷化镓微波场效应晶体管详细规范 SJ 50033/79-1995 半导体分立器件.CS0536型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 SJ 50033/120-1997 半导体分立器件 CS205型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 SJ 50033.51-1994 半导体分立器件.CS0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范

推荐

18度角激光光散射仪的技术指标

　　激光波长：658nm 砷化镓线性偏振激光，保证寿命10000小时 激光功率：100毫瓦 检测器类型：超静式混合光电二极管，场效应晶体管互阻抗放大器 检测角度：18个 角度范围：13 – 165度，35°以下保证有3个角度 分子量测定范围：103到109 g/mole (Daltons) 分子尺寸测定范围：10 到 500+nm。...

浅析适用于射频微波等高频电路的半导体材料及工艺 -1

砷化镓元件因电子迁移率比硅高很多，因此采用特殊的工艺，早期为 MESFET 金属半导体场效应晶体管，后演变为 HEMT ( 高速电子迁移率晶体管)，pHEMT( 介面应变式高电子迁移电晶体)目前则为 HBT ( 异质接面双载子晶体管)。...

固态电子器件的未来展望

Ⅲ、Ⅴ族化合物半导体材料，尤其是砷化镓材料工艺日趋成熟，新的固态电子器件随着材料质量的提高和对材料物理的深入研究而不断出现。在微波晶体管方面,从已有的MES场效应晶体管发展到调制掺杂高迁移率晶体管，使电路的开关延迟缩短，频率响应又有很大提高。此外，用异质结制做晶体管时，由于异质发射结的注入效率高，基区电阻小，可使频率响应提高很多,也有很大前途。...

微波功率晶体管相关介绍

微波功率晶体管还有硅静电感应场效应管、硅VMOS和异质结（镓铝砷/砷化镓）双极晶体管等结构。...

JEDEC JES2-1992 中可能用到的仪器设备

石英晶体天平


Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证：京ICP证110310号