该平台具有完全的逻辑兼容性,所有1.2V逻辑库IP皆可用于此嵌入式平台;采用逻辑电压更低的1.2V核心器件,可在最大程度上降低芯片功耗,提升产品性能;后段采用铜制程,由于铜的电迁移性可造成电阻性的改良,使现有设计能够采用较高的电流密度,造就更佳的性能与可靠性;芯片面积有大幅缩减,更小的尺寸使大型闪存应用成为可能;随着闪存单元的持续缩减,芯片面积将进一步优化,实现成本效益。...
拥有可靠性物理、可靠性统计等可靠性分析方法。熟悉AEC-Q、JEDEC、IPC等标准内容。曾为多家企业进行车规测试标准培训,完成数十款芯片的AEC-Q验证。内容简介:基于AEC-Q100测试标准,从可靠性物理、器件制造工艺和供应链质量管控等多个角度,对车规芯片认证的核心技术进行深入讨论。帮助听众在设计可靠性、制造可靠性、测试与验证方面,提供相关经验支持。...
该科研团队陆续开发出了我国第一款8Mb PCRAM试验芯片,发现了比国际量产的Ge-Sb-Te性能更好的Ti-Sb-Te自主新型相变存储材料,开发基于0.13umCMOS工艺的打印机用嵌入式PCRAM产品已获得首个1500万颗的订单;自主研发的双沟道隔离的4F2高密度二极管技术,自读存储器已开始送样,晶体管密度达到国际先进水平;40nm节点PCRAM试验芯片的单元成品率达99.99%以上,4Mb、64Mb...
该科研团队陆续开发出了我国第一款8Mb PCRAM试验芯片,发现了比国际量产的Ge-Sb-Te性能更好的Ti-Sb-Te自主新型相变存储材料,开发基于0.13umCMOS工艺的打印机用嵌入式PCRAM产品已获得首个1500万颗的订单;自主研发的双沟道隔离的4F2高密度二极管技术,自读存储器已开始送样,晶体管密度达到国际先进水平;40nm节点PCRAM试验芯片的单元成品率达99.99%以上,4Mb、64Mb...
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