This International Standard specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal or amorphous-silicon specimens with boron atomic concentrations between 1 × 10 atoms/cm and 1×10 atoms/cm, and to crater depths of 50 nm or deeper.
BS ISO 17560-2002由英国标准学会 GB-BSI 发布于 2002-08-28,并于 2002-08-28 实施,于 2014-09-30 废止。
BS ISO 17560-2002 在中国标准分类中归属于: G04 基础标准与通用方法,在国际标准分类中归属于: 71.040.40 化学分析。
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