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目前,碳化硅功率器件主要包括功率二极管和功晶体管。功率二极管主要包括结势垒肖特基二极管 JBS、PiN 二极管和混合 PIN肖特基二极管 MPS,功率晶体管主要包括 MOSFET、结型场效应晶体管 JFET、双极型晶体管 BJT、IGBT、门极可关断晶闸管 GTO 和发射极可关断晶闸管 ETO 等。...
,需通过减小接触肖特基势垒、增加表面掺杂浓度和接触面积等方法来降低接触电阻;⑤随着CPP微缩,侧墙厚度变薄,栅极与漏极之间的寄生电容Cgd变大,需通过低介电常数(low-k)介质材料侧墙或空气侧墙等方式来降低寄生电容。...
在系统集成方面, 加拿大多伦多大学设计了140 GHz CMOS接收机芯片和165 GHz SiGe 的片上收发系统, 美国加州大学柏克莱分校首次将60 GHz 频段硅基模拟收发电路与数字基带处理电路集成在一块CMOS 芯片上,新加坡微电子研究院也实现了包括在片天线的60 GHz CMOS 收发信机芯片,美国加州大学洛杉矶分校报道了0.54 THz 的频率综合器, 德国乌帕塔尔综合大学研制了820...
士兰微电子目前的产品和研发投入主要集中在以下三个领域,应用于消费类数字音视频系统的集成电路产品,包括以光盘伺服为基础的芯片和系统、单芯片的CD播放机系统、MP3/WMA数字音频解码等系统和产品、数字媒体处理SOC等产品。基于士兰微电子集成电路芯片生产线的双极、BiCMOS和BCD工艺为基础的模拟、数字混合集成电路产品,这些产品包括高性能的电源管理电路和系统、白光LED驱动电路、各类功率驱动电路等。...
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