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这听上去也许与摩尔定律1.0时代非常相像，但届时我们要做的并非把不同的逻辑电路整合在一块更大面积的芯片上，而是将长久以来都与硅晶芯片相互分离的非逻辑功能并入芯片之中。这方面的一个早期范例便是现代手机的摄像头，这种摄像头通过直通硅晶穿孔技术将图像传感器直接合并在数字信号处理器中。除此之外，后续还会有其他的范例不断涌现。...
目前报道常见的CFET制备方法有单块集成CFET（Monolithic CFET，也称Self-aligned CFET，即自对准集成CFET）和顺序集成CFET（Sequential CFET）。单块集成CFET是在一个衬底上先制备NFET（或PFET）器件层，然后在其上再制备PFET（或NFET）器件层。...
目前，肖特基二极管、PIN二极管、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管等碳化硅电子电子器件耐压高达10kV以上，单管器件最高电压超过27kV 。2019年，Cree公司宣布投资10亿美元打造碳化硅超级制造工厂，将碳化硅晶圆制造能力提高30倍，以满足2024年的预期市场增长。...
也就是说：这一刻我们需要一个比较适合对图像进行处理的硬件系统，下一刻我们需要一个对科学计算比较适合的硬件系统，但是我们又不希望焊两块板子，这个时候FPGA便应运而生。FPGA运用硬件描述语言（Verilog或VHDL）描述逻辑电路，可以利用逻辑综合和布局、布线工具软件，快速地烧录至FPGA上进行测试。人们可以根据需要，通过可编辑的连接，把FPGA内部的逻辑块连接起来。...
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