DLA SMD-5962-96543 REV E-2006
抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重2输入与非施密特触发器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, QUADRUPLE 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER, TTL COMPATIBLE INPUTS, MONOLITHIC SILICON

DLA SMD-5962-96543 REV E-2006 发布历史

This drawing documents two product assurance class levels consisting of high reliability (device classes Q and M) and space application (device class V).

DLA SMD-5962-96543 REV E-2006由美国国防后勤局 US-DLA 发布于 2006-02-07。

DLA SMD-5962-96543 REV E-2006 在中国标准分类中归属于: L40 半导体分立器件综合，在国际标准分类中归属于: 31.080.01 半导体器分立件综合。

DLA SMD-5962-96543 REV E-2006的历代版本如下：

• 2006年02月07日 DLA SMD-5962-96543 REV E-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重2输入与非施密特触发器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路

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标准号

DLA SMD-5962-96543 REV E-2006

发布日期

2006年02月07日

实施日期

废止日期

无

中国标准分类号

L40

国际标准分类号

31.080.01

发布单位

US-DLA

适用范围

This drawing documents two product assurance class levels consisting of high reliability (device classes Q and M) and space application (device class V).