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氧化物半导体具有工艺温度低、透明度好、薄膜可大面积生长、电子迁移率高、能带隙宽等优点,这些优点使其适用于内存驱动电路以及基于高性能薄膜晶体管的逻辑电路。随着人们对实现具有新功能和超强计算能力的新型计算架构越来越感兴趣,开发高性能氧化物半导体晶体管以实现兼容CMOS 后端工艺的单片三维集成电路已迫在眉睫。 ...
CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor),中文学名为互补金属氧化物半导体,它本是计算机系统内一种重要的芯片,保存了系统引导最基本的资料。...
美国《科学》杂志21日刊登了北京大学信息科学技术学院彭练矛和张志勇课题组在碳纳米管电子学领域取得的世界级突破:首次制备出5纳米栅长的高性能碳纳米晶体管,并证明其性能超越同等尺寸的硅基CMOS(互补金属—氧化物—半导体)场效应晶体管,将晶体管性能推至理论极限。 ...
最新研究将名为多层六方氮化硼的二维绝缘材料(约6纳米厚),集成到包含由互补金属—氧化物半导体技术制成的硅晶体管的微芯片内,实现了优异的集成密度、电子性能和良品率。研究人员表示,研制出的器件宽度仅260纳米,能用于高级数据存储和计算。未来大多数微芯片将会利用这些二维材料优异的电子和热属性。最新制造出的微芯片显示出了高耐久性和特殊的电子性能,使制备出功耗极低的人工神经网络成为可能。...
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