DLA SMD-5962-96753 REV A-1999
双极的互补金属氧化物半导体,计时和等待状态发生器电路,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, CLOCK AND WAIT-STATE GENERATION CIRCUIT, TTL COMPATIBLE INPUTS, MONOLITHIC SILICON


 

 

非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 前三页,或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准,
点击右侧 “购买” 按钮开始采购(由第三方提供)。

点击下载后,生成下载文件时间比较长,请耐心等待......

 

标准号
DLA SMD-5962-96753 REV A-1999
发布
1999年
发布单位
美国国防后勤局
 
 
适用范围
该图记录了两个产品保证等级,包括高可靠性(设备类别 Q 和 M)和空间应用(设备类别 V)。外壳轮廓和引线表面可供选择,并反映在零件或识别号 (PIN) 中。如果可用,辐射硬度保证 (RHA) 级别的选择会反映在 PIN 中。

DLA SMD-5962-96753 REV A-1999相似标准


推荐

北京大学彭练矛组Nature子刊:基于碳纳米管三维单片光电集成系统

文章报道了一种电驱动碳纳米管片装三维光电集成电路,通过互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容低温无掺杂技术,利用碳纳米管(CNT)制造片装电驱动小型OEIC高能纳米电子光电子系统,如光伏接收器、电驱动发射器片装电子电路,为实现单片三维光电集成电路提供无缝集成平台,实现多样化功能,如异构AND门。...

用碳纳米管来计算 微型碳纳米管强势回归,现已有实力与竞争。

其中一个经常被提及问题是可否创建互补逻辑。今天处理器使用CMOS半导体技术,其中文名称为“互补金属氧化物半导体”,“互补”是指它采用两种不同类型晶体管:携带电子n型晶体管使用空穴(没有电子正电荷)p型晶体管。使用两种类型有许多优点,但多年来研究人员们主要只研究p型碳纳米管晶体管。这是因为首个CNFET是p型晶体管,所用材料处理起来更容易。...

【防务资讯】“DARPA2016年展示日”10大前沿主题——频谱篇

然而这些器材材料通常基于不同衬底工艺制造技术,阻碍了这些器件集成到单一制造流程中。因此,一直以来这些器件技术间集成都只发生在芯片到芯片级别,严重限制了这些系统带宽和与延迟有关性能;与单芯片全集成微系统相比,显著增加了尺寸、重量、功耗封装成本。DAHI项目目标是开发晶体管级异质集成工艺,实现先进化合物半导体器件、其他新兴材料器件、高密度互补金属氧化物半导体(CMOS)技术紧密结合。...

电子元器件综合知识大全

5.6半导体管具有三种工作状态,放大、饱和、截止,在模拟电路中一般使用放大作用。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。   a;半导体三种基本放大电路。   ...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号