DLA SMD-5962-95763 REV E-2005
高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置双重D双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, HIGH SPEED CMOS, DUAL D FLIP-FLOP WITH SET AND RESET, TTL COMPATIBLE INPUTS, MONOLITHIC SILICON

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标准号

DLA SMD-5962-95763 REV E-2005

发布

2005年

发布单位

美国国防后勤局

 

 

适用范围

该图记录了三个产品保证等级，包括高可靠性（设备类别 Q 和 M）、空间应用（设备类别 V）以及适用于卫星和类似应用（设备类别 T）。外壳轮廓和引线表面可供选择，并反映在零件或识别号 (PIN) 中。如果可用，辐射硬度保证 (RHA) 级别的选择会反映在 PIN 中。对于 T 类设备，鼓励用户审查制造商的质量管理 (QM) 计划，作为评估这些部件及其在预期应用中的可接受性的一部分。

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