CsPbI3 纳米线薄膜不同浸泡时间 (a) 吸收光谱;(b) 标准荧光光谱浸泡时间不同,样品的吸光范围不同,其中两相共存的中间产物吸光范围最宽,且通过控制浸泡时间,产物的带隙可调谐。图6. (a) 钙钛矿太阳能电池的J-V表征;(b) 基于CsPbBr3纳米线太阳能电池的截面和平面SEM形貌图表1. 钙钛矿太阳能电池的器件参数各项表征指标表明,离子交换完成后,电池性能提高了近10倍。图7....
图十七、已报道的基于Cs2AgBiBr6和Cs2TiBr6器件的器件结构,J-V曲线和稳定功率输出7、卤化双钙钛矿所面临的挑战虽然立方结构提供了卤化双钙钛矿相比于MAPbI3更好的环境稳定性、刚度和热膨胀行为,但立方晶胞限制相邻阳离子轨道之间的相互作用会导致局部的窄导带和宽带隙。通常情况下,化合物的制备通常还需要高温,这种高加工温度要求限制了这类化合物的各种应用。...
随后,研究组对制备过程中涉及的相组分与微结构控制、界面复合体均匀加工等关键技术进行研究,成功研制出长度达11 m 的高性能122 型铁基超导长线,其传输电流性能在10 T 的磁场下超过18 400 A/cm2。研究组开发出采用纯铜作为包套材料的高性能122 型超导带材,在相同横截面积内,超导带材的截流能力是传统铜导线的数百倍。...
这要求半导体的带隙不能太大。iii)载流子的运输和转移过程应快速有效; 并尽量不发生复合。iv)半导体应具有高选择性的水分解能力。v)半导体应在恶劣的测试条件下稳定,如酸/碱溶液,高氧化/还原环境和强烈的阳光。作为地球富含的金属氧化物,三氧化钨(WO3)具有中等的带隙(2.5-2.7eV),理想的价带位置和高的耐光致腐蚀性,已广泛用于PEC光阳极中。...
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