ANSI N42.31-2003
离子辐射的宽能带隙半导体探测器的分辨和功效的测量规程

Measurement Procedures for Resolution and Efficiency of Wide-Bandgap Semiconductor Detectors of Ionizing Radiation

ANSI N42.31-2003 发布历史

Measurement and test procedures are established for wide-bandgap semiconductor detectors such as cadmium-telluride (CdTe) cadmium-zinc-telluride (CdZnTe), and mercuric iodide (HgI2) that can be used at room temperature for the detection and quantitative

ANSI N42.31-2003由美国国家标准学会 US-ANSI 发布于 2003-02-20。

ANSI N42.31-2003 在中国标准分类中归属于: F81 通用核仪器，在国际标准分类中归属于: 17.240 辐射测量。

ANSI N42.31-2003的历代版本如下：

• 2003年02月20日 ANSI N42.31-2003 离子辐射的宽能带隙半导体探测器的分辨和功效的测量规程

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标准号

ANSI N42.31-2003

发布日期

2003年02月20日

实施日期

废止日期

无

中国标准分类号

F81

国际标准分类号

17.240

发布单位

US-ANSI

适用范围

Measurement and test procedures are established for wide-bandgap semiconductor detectors such as cadmium-telluride (CdTe) cadmium-zinc-telluride (CdZnTe), and mercuric iodide (HgI2) that can be used at room temperature for the detection and quantitative