CSN 35 8762-1973
半导体设备．光电晶体管光电二极管．暗电流测量
Semiconductor devices. Phototransistors photodiodes. Measurement of dark current
- 标准号
- CSN 35 8762-1973
- 发布
- 1973年
- 发布单位
- CZ-CSN
- 当前最新
- CSN 35 8762-1973
- 处理者：Tesla Ro?nov，注册办事处，Ro?nov pod Radho?těm，负责人？工人 - 英格。 Václav Sehnalík 标准化和测量团队的工作人员：Ing.瓦茨拉夫·普罗瑟
CSN 35 8762-1973相似标准
推荐
【中国科学技术大学龙世兵课题组】超高探测率和光-暗电流比的日盲光电晶体管
由于可以广泛用于光学成像，空间光通信，导弹制导和定位导航等领域，作为现代光电设备中关键组件的光电探测器（PD）近年来已引起越来越多的研究兴趣。目前，商用光电探测器主要基于Si光电二极管，是因为它的低成本和与高度成熟的硅工艺带来的高度兼容性。...
顶刊动态丨Nature子刊/Chemical Reviews/Nano Letters等电子材料学术进展汇总【160628期】
目前，光电检测器分为两类，分别是光电二极管和光电晶体管，二者各有所长。西班牙光子科学研究所的Frank H. L. Koppens和Gerasimos Konstantatos（通讯作者）等人将胶体光电二极管整合到石墨烯光电晶体管上方得到了一种混合光电检测器。...
偏压光电探测器实验观测
这些电流产生的过程并不是由电子和空穴产生的光驱动的，而主要由半导体材料内的热能驱动[1]。暗电流通常很小，但当光电二极管处于反向偏置状态，且不被照射时就会存在。对于不同材料成分的光电二极管，暗电流大小也不同；热产生过程的效率取决于探测器传感头中所用半导体的类型和晶体质量。随着光电二极管温度的升高，以及施加给光电二极管的反向偏压升高，暗电流也会增大。...
：最小化近红外钙钛矿光电二极管中的暗电流
图四、暗电流密度与噪声电流的相关性在反向偏压（0.5 V）下测量的噪声电流与不同EBL-钙钛矿组合的PPD的暗电流密度。图五、Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿和PTAA:poly-TPD EBL的光电二极管性能（a）设备结构示意图。（b）在黑暗和近红外（940 nm）下的J -V曲线。（c）在0.5 V下测量的线性图显示了在近红外（940 nm）照射下不同光子通量下的Jph。...