其中Lens2 不Lens3将离子束汇聚,L4将汇聚后的离子束聚焦到样品表面,形成束流密度中心高周围低 的高斯分布。这种模式下,在样品表面产生的剥蚀坑是接近囿形的V型坑。这种模式下离子 束的直径主要受到L2不L3透镜电压的影响,而对光阑的剥蚀效应很小,因此可以长时间保 持离子束直径丌变。实验室常规的稳定同位素分析以及空间分辨高于10微米的小束斑定年 分析都采用了高斯照明模式。...
掩模注入是半导体领域的一项基本操作技术,利用聚焦离子束技术的精确定位和控制能力,就可以不用掩模板,直接在半导体材料和器件上特定的点或者区域进行离子注入,精确控制注入的深度和广度。 3.5 透射电镜样品制备 透射电镜的样品限制条件是透射电镜应用的一大难题,通常透射电镜的样品厚度需控制在0.1微米以下。传统方法是通过手工研磨和离子溅射减薄来制样,不但费时而且还无法精确定位。...
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