ASTM F2113-01e1
薄膜电子设备用高纯度金属溅涂靶杂质含量和等级的分析和报告标准指南

Standard Guide for Analysis and Reporting the Impurity Content and Grade of High Purity Metallic Sputtering Targets for Electronic Thin Film Applications

被代替

ASTM F2113-01e1 发布历史

ASTM F2113-01e1由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 2001。

ASTM F2113-01e1 在中国标准分类中归属于: L14 电位器。

ASTM F2113-01e1 薄膜电子设备用高纯度金属溅涂靶杂质含量和等级的分析和报告标准指南的最新版本是哪一版？

最新版本是 ASTM F2113-01(2011) 。

ASTM F2113-01e1的历代版本如下：

• 2001年 ASTM F2113-01(2011) 薄膜电子设备用高纯度金属溅涂靶杂质含量和等级的分析和报告标准指南
• 2007年 ASTM F2113-01(2007) 电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南
• 2001年 ASTM F2113-01e1 薄膜电子设备用高纯度金属溅涂靶杂质含量和等级的分析和报告标准指南
• 2001年 ASTM F2113-01 电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南

1.1 本指南涵盖在制造半导体电子器件时用作薄膜源材料的溅射靶材。它应用于制定特定材料的目标规格并应在其中引用。

1.2 本标准规定了纯度等级水平、分析方法和杂质含量报告方法和格式。

1.2.1 等级名称是总金属杂质含量的度量。牌号名称不一定表明适合特定应用，因为总金属杂质以外的因素可能会影响性能。

标准号

ASTM F2113-01e1

发布

2001年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F2113-01(2007)

当前最新

ASTM F2113-01(2011)

 

 

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