GB/T 13178-2008
金硅面垒型探测器

Partially depleted gold silicon surface barrier detectors

GBT13178-2008, GB13178-2008


GB/T 13178-2008 中,可能用到以下仪器

 

X-Max TEM牛津仪器硅漂移探测器 半导体制造

X-Max TEM牛津仪器硅漂移探测器 半导体制造

牛津仪器科技(上海)有限公司

 

太赫兹辐射产生器Tera-Ax

太赫兹辐射产生器Tera-Ax

森泉光电有限公司

 

Avesta 二次谐波产生器

Avesta 二次谐波产生器

森泉光电有限公司

 

粒子影像探测器

粒子影像探测器

北京先锋泰坦科技有限公司

 

SDD硅漂移探测器

SDD硅漂移探测器

北京先锋泰坦科技有限公司

 

奥谱天成ATT1121金属封装硅光电池(PD)

奥谱天成ATT1121金属封装硅光电池(PD)

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

软X射线探测器

软X射线探测器

北京先锋泰坦科技有限公司

 

非晶硅平板探测器

非晶硅平板探测器

北京先锋泰坦科技有限公司

 

黑硅光电探测器

黑硅光电探测器

北京先锋泰坦科技有限公司

 

位置灵敏探测器PSD

位置灵敏探测器PSD

北京先锋泰坦科技有限公司

 

奥谱天成ATT1120高性能硅光电池(PD)

奥谱天成ATT1120高性能硅光电池(PD)

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

奥谱天成S11639探测器

奥谱天成S11639探测器

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

探测器ATT1101奥谱天成

探测器ATT1101奥谱天成

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

奥谱天成探测器ATT1121

奥谱天成探测器ATT1121

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

金属封装硅光电池(PD)探测器奥谱天成

金属封装硅光电池(PD)探测器奥谱天成

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

探测器ATF0001奥谱天成

探测器ATF0001奥谱天成

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

探测器奥谱天成ATX1206

探测器奥谱天成ATX1206

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

奥谱天成探测器S10420

奥谱天成探测器S10420

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

奥谱天成高性能硅光电池(PD)ATT1120

奥谱天成高性能硅光电池(PD)ATT1120

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

ATT1121金属封装硅光电池(PD)奥谱天成

ATT1121金属封装硅光电池(PD)奥谱天成

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

ATT1101探测器奥谱天成

ATT1101探测器奥谱天成

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

探测器ATF0001奥谱天成

探测器ATF0001奥谱天成

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

ATT1120探测器奥谱天成

ATT1120探测器奥谱天成

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

ATT1500奥谱天成探测器

ATT1500奥谱天成探测器

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

奥谱天成探测器ATT2103

奥谱天成探测器ATT2103

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

探测器ATT1120奥谱天成

探测器ATT1120奥谱天成

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

ATT2206奥谱天成探测器

ATT2206奥谱天成探测器

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

奥谱天成ATF0001探测器

奥谱天成ATF0001探测器

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

GB/T 13178-2008

标准号
GB/T 13178-2008
别名
GBT13178-2008
GB13178-2008
发布
2008年
发布单位
国家质检总局
当前最新
GB/T 13178-2008
 
 
引用标准
GB/T 10257-2001 GB/T 5201
被代替标准
GB/T 13178-1991
本标准规定了部分耗尽金硅面垒型探测器(简称探测器)的产品分类、技术要求、测试方法、检验规则等。 本标准适用于部分耗尽金硅面垒型探测器(不包括位置灵敏探测器)。锂漂移金硅面垒型探测器也可参照执行。

GB/T 13178-2008相似标准


推荐

半导体探测器的发展历史

  半导体探测器的前身可以认为是晶体计数器 。早在1926年就有人发现某些固体电介质在核辐射下产生电导现象。后来,相继出现了氯化银、金刚石等晶体计数器。但是,由于无法克服晶体的极化效应问题,迄今为止只有金刚石探测器可以达到实用水平。半导体探测器发现较晚,1949年开始有人用α 粒子照射锗半导体点接触二极管时发现有电脉冲输出。到1958年才出现第一个探测器。...

半导体探测器简介

探测器1958年首次出现,锂漂移探测器60年代初研制成功,同轴高纯锗(HPGe)探测器和高阻探测器等主要用于能量测量和时间的探测器陆续投入使用,半导体探测器得到迅速的发展和广泛应用。...

半导体X射线探测器相关介绍

20世纪中期有人在使用α粒子照射锗半导体点接触二极管时,发现有电脉冲输出。1958年第一个探测器被设计完成,直到20世纪60年代初期锂漂移探测器被研制成功后,半导体探测器才得到迅速的发展。  半导体探测器的工作原理如图4所示。将工作电压加在电极K和A上后,固体介质内部会形成很强的电场区。...

P-N结半导体探测器的类型

    扩散结(Diffused Junction)探测器  采用扩散工艺——高温扩散或离子注入 ;材料一般选用P高阻,电阻率为1000;在电极引出时一定要保证为欧姆接触,以防止形成另外的结。  (Surface Barrier)探测器  一般用N高阻,表面蒸50~100μg/cm2 氧化形成P,而形成P-N结。工艺成熟、简单、价廉。  ...


GB/T 13178-2008 中可能用到的仪器设备


谁引用了GB/T 13178-2008 更多引用





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号