GB/T 6616-2009由国家质检总局 CN-GB 发布于 2009-10-30,并于 2010-06-01 实施,于 2024-03-01 废止。
GB/T 6616-2009 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合,在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法的最新版本是哪一版?
最新版本是 GB/T 6616-2023 。
本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm-1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时,衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。 硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0*10Ω•cm-2*10Ω•cm和2*10Ω/□~3*10Ω/□ 。
相关应用:薄膜/厚膜台阶;蚀刻深度量测;光阻/光刻胶台阶;柔性薄膜;表面粗糙度/平整度表征;表面曲率和轮廓分析;薄膜的2D stress量测;表面结构分析;表面的3D轮廓成像;缺陷表征和缺陷分析。 R50四探针电阻率测量仪Filmetrics R50 系列提供接触式四点探针 (4PP) 和非接触式涡流 (EC)测量。最快 1 点/秒的速度映射导电膜的电阻率/电导率。...
相关应用:薄膜/厚膜台阶;蚀刻深度量测;光阻/光刻胶台阶;柔性薄膜;表面粗糙度/平整度表征;表面曲率和轮廓分析;薄膜的2D stress量测;表面结构分析;表面的3D轮廓成像;缺陷表征和缺陷分析。 R50四探针电阻率测量仪Filmetrics R50 系列提供接触式四点探针 (4PP) 和非接触式涡流 (EC)测量。1 点/秒的速度映射导电膜的电阻率/电导率。...
应用:半导体制造(光刻胶、氧化物/氮化物/SOI、晶圆背面研磨);LCD 液晶显示器(聚酰亚胺、ITO 透明导电膜);光学镀膜(硬涂层、抗反射层);MEMS 微机电系统(光刻胶、硅系膜层)。 R50四探针电阻率测量仪Filmetrics R50 系列提供接触式四点探针 (4PP) 和非接触式涡流 (EC)测量。最快 1 点/秒的速度映射导电膜的电阻率/电导率。...
相关应用:薄膜/厚膜台阶;蚀刻深度量测;光阻/光刻胶台阶;柔性薄膜;表面粗糙度/平整度表征;表面曲率和轮廓分析;薄膜的2D stress量测;表面结构分析;表面的3D轮廓成像;缺陷表征和缺陷分析。 R50四探针电阻率测量仪Filmetrics R50 系列提供接触式四点探针 (4PP) 和非接触式涡流 (EC)测量。 1 点/秒的速度映射导电膜的电阻率/电导率。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号