SJ/T 11399-2009
半导体发光二极管芯片测试方法
Measurement methods for chips of light emitting diodes
SJ/T 11399-2009 发布历史
本标准规定了半导体发光二极管芯片的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学参数以及电磁兼容性的测试方法。 本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光发光二极管芯片以及外延片的测试可参考执行。
SJ/T 11399-2009由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 2009-11-17，并于 2010-01-01 实施。
SJ/T 11399-2009 在中国标准分类中归属于: L41 半导体二极管,L45 微波、毫米波二、三极管，在国际标准分类中归属于: 31.260 光电子学、激光设备。
SJ/T 11399-2009 发布之时，引用了标准
- GB/T 5698-2001 颜色术语
- GB/T 11499-2001 半导体分立器件文字符号
- GB/T 15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件
- SJ/T 11394-2009 半导体发光二极管测试方法
SJ/T 11399-2009的历代版本如下：
- 2009年11月17日 SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法
- 标准号
- SJ/T 11399-2009
- 发布日期
- 2009年11月17日
- 实施日期
- 2010年01月01日
- 废止日期
- 无
- 中国标准分类号
- L41;L45
- 国际标准分类号
- 31.260
- 发布单位
- CN-SJ
- 引用标准
- GB/T 5698-2001 GB/T 11499-2001 GB/T 15651-1995 SJ/T 11394-2009
- 适用范围
- 本标准规定了半导体发光二极管芯片的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学参数以及电磁兼容性的测试方法。 本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光发光二极管芯片以及外延片的测试可参考执行。