SJ/T 11404-2009
铌酸锂集成光学器件通用规范

General specifications for LiNbOintegrated optical devices

SJT11404-2009, SJ11404-2009


标准号
SJ/T 11404-2009
别名
SJT11404-2009, SJ11404-2009
发布
2009年
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ/T 11404-2009
 
 
引用标准
GB/T 18310.4-2001 GB/T 191-2008 GB/T 2421-1999 GB/T 2423.1-2001 GB/T 2423.10-2008 GB/T 2423.11-1997 GB/T 2423.2-2008 GB/T 2423.22-2002 GB/T 2423.28-2005 GB/T 2423.5-1995 GB/T 2828.1-2003 GJB 128A-1997 GJB 4026-2000 SJ 20869-2003
适用范围
本规范规定了铌酸锂集成光学器件所需的质量评定程序、检验要求、筛选、抽样要求、试验和测量方法的内容。 本规范适用于由铌酸锂材料制作的强度调制器、相位调制器、光开关以及用于光纤陀螺的Y波导相位调制器等,由钽酸锂材料制造的具有类似功能的集成光学器件可参照执行。

SJ/T 11404-2009相似标准


推荐

有它助阵,集成光电子器件加工不再难

氮化硅是一种理想的辅助材料,具有与类似的折射率,通过合理的设计波导结构使得氮化硅—异质波导中的大部分光场仍然可以限制在层,从而发挥其优异的光学性能实现电光、声光及光学非线性器件。更重要的是,氮化硅是CMOS工艺兼容的材料,成熟的微纳加工工艺可以方便地实现氮化硅层的加工制作,有助于实现集成光电子芯片的大规模集成。...

上海微系统所等开发出可批量制造的新型光学“硅”与芯片技术

此外,硅基钽异质晶圆的制备工艺与绝缘体上的硅更接近,因此钽薄膜可实现低成本和规模化制造,具有应用价值。欧欣团队采用基于“万能离子刀”的异质集成技术,通过氢离子注入结合晶圆键合的方法,制备了高质量硅基钽单晶薄膜异质晶圆。进一步,合作团队开发了超低损耗钽光子器件微纳加工方法,使对应器件光学损耗降低至5.6 dB m-1,这低于其他团队报道的晶圆级波导的最低损耗值。...

研究人员开发新型光学“硅”与芯片技术

欧欣团队采用基于“万能离子刀”的异质集成技术,通过氢离子注入结合晶圆键合的方法,制备了高质量硅基钽单晶薄膜异质晶圆。他们还与合作团队联合开发了超低损耗钽光子器件微纳加工方法,对应器件光学损耗普遍低于已报道晶圆级工艺下的波导损耗值。...

上海微系统所开发新型光学“硅”与芯片技术

进一步地,与合作团队联合开发了超低损耗钽光子器件微纳加工方法,对应器件光学损耗普遍低于已报道晶圆级工艺下的波导损耗值。钽光子芯片展现出与薄膜相当的电光调制效率,同时研究团队首次在X切型电光平台中成功产生了孤子光学频率梳,结合其电光可调谐性质,有望在激光雷达、精密测量等方面实现应用。...


SJ/T 11404-2009 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号