氮化硅是一种理想的辅助材料,具有与铌酸锂类似的折射率,通过合理的设计波导结构使得氮化硅—铌酸锂异质波导中的大部分光场仍然可以限制在铌酸锂层,从而发挥其优异的光学性能实现电光、声光及光学非线性器件。更重要的是,氮化硅是CMOS工艺兼容的材料,成熟的微纳加工工艺可以方便地实现氮化硅层的加工制作,有助于实现铌酸锂集成光电子芯片的大规模集成。...
此外,硅基钽酸锂异质晶圆的制备工艺与绝缘体上的硅更接近,因此钽酸锂薄膜可实现低成本和规模化制造,具有应用价值。欧欣团队采用基于“万能离子刀”的异质集成技术,通过氢离子注入结合晶圆键合的方法,制备了高质量硅基钽酸锂单晶薄膜异质晶圆。进一步,合作团队开发了超低损耗钽酸锂光子器件微纳加工方法,使对应器件的光学损耗降低至5.6 dB m-1,这低于其他团队报道的晶圆级铌酸锂波导的最低损耗值。...
欧欣团队采用基于“万能离子刀”的异质集成技术,通过氢离子注入结合晶圆键合的方法,制备了高质量硅基钽酸锂单晶薄膜异质晶圆。他们还与合作团队联合开发了超低损耗钽酸锂光子器件微纳加工方法,对应器件的光学损耗普遍低于已报道晶圆级工艺下的铌酸锂波导损耗值。...
进一步地,与合作团队联合开发了超低损耗钽酸锂光子器件微纳加工方法,对应器件的光学损耗普遍低于已报道晶圆级工艺下的铌酸锂波导损耗值。钽酸锂光子芯片展现出与铌酸锂薄膜相当的电光调制效率,同时研究团队首次在X切型电光平台中成功产生了孤子光学频率梳,结合其电光可调谐性质,有望在激光雷达、精密测量等方面实现应用。...
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