图三 硅和锗管的伏安特性曲线4.12 半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小,越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。 ...
MPPC即多像素光子计数器,是由高密度的雪崩光电二极管构成,那么我是否可以理解为单点MPPC也是由多个雪崩光电二极管构成,如果是这样的话,请问Si 雪崩二极管阵列和单点MPPC的区别是什么呢?MPPC的每一个像素可以理解成是一个盖革模式的APD,盖革模式的APD工作电压会高于击穿电压,而常规的APD工作电压低于击穿电压。由于二者的工作条件不一样,相应的结构和工艺上也有差异。...
关于寄生二极管的作用,有两种解释:MOSFET的寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏MOS管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管,也可以在电路有反向感生电压时,为反向感生电压提供通路,避免反向感生电压击穿MOS管。...
稳压二极管,英文名称Zener diode,又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。[1] 此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。...
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