YS/T 741-2010
氧化镓
Gallium oxide
YST741-2010, YS741-2010
YS/T 741-2010 发布历史
YS/T 741-2010由行业标准-有色金属 CN-YS 发布于 2010-11-22，并于 2011-03-01 实施。
YS/T 741-2010 在中国标准分类中归属于: H12 轻金属及其合金分析方法，在国际标准分类中归属于: 77.150.99 其他有色金属产品。
YS/T 741-2010 氧化镓的最新版本是哪一版？
最新版本是 YS/T 741-2010 。
YS/T 741-2010 发布之时，引用了标准
- GB/T 8170 数值修约规则与极限数值的表示和判定
- YS/T 742-2010 氧化镓化学分析方法杂质元素的测定电感耦合等离子体质谱法
YS/T 741-2010的历代版本如下：
- 2010年 YS/T 741-2010 氧化镓
本标准规定了氧化镓(GaO)的要求、试验方法、检验规则、包装、运输、贮存等。 本标准适用于生产发光材料、晶体材料、催化剂及其他制品用原料氧化镓(99.9%-99.999%)。
- 标准号
- YS/T 741-2010
- 别名
- YST741-2010
YS741-2010 - 发布
- 2010年
- 发布单位
- 行业标准-有色金属
- 当前最新
- YS/T 741-2010
- 引用标准
- GB/T 8170 YS/T 742-2010
YS/T 741-2010相似标准
推荐
中国电科46所成功制备6英寸氧化镓单晶
中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺寸、高掺杂、低缺陷等方向，从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，具有良好的结晶性能，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。...
氧化镓半导体器件领域研究取得重要进展
如何开发出有效的边缘终端结构，缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。由于氧化镓P型掺杂目前尚未解决，PN结相关的边缘终端结构一直是难点。龙世兵课题组基于氧化镓异质PN结的前期研究基础，将异质结终端扩展结构成功应用于氧化镓肖特基二极管。该研究通过合理设计优化JTE区域的电荷浓度，确保不影响二极管正向特性的同时最大化削弱肖特基边缘电场，从而有效提高器件的耐压能力。...
【10月会议】2019BCEIA、氧化镓、植物保护年会，大咖云集！
2019.BCEIA第十八届北京分析测试学术报告会暨展览会“分析科学 创造未来”聚焦 · 科学仪器盛会BCEIA2019,卓立汉光&先锋科技41079号展位长按“看一看”学术会议第二届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会长按“看一看”会议详情：主办单位：中国科学院会议主题：老少齐心壮美镓源推动我国在氧化镓及其相关宽带隙半导体和氧化物材料的相关物理问题和器件应用方面的研究。...
我国科研人员为氧化镓晶体管找到新结构方案
作为新一代功率半导体材料，氧化镓的p型掺杂目前尚未解决，氧化镓场效应晶体管面临着增强型模式难以实现和功率品质因数难以提升等问题，因此急需设计新结构氧化镓垂直型晶体管。 研究人员分别采用氧气氛围退火和氮离子注入工艺制备了器件的电流阻挡层，并配合栅槽刻蚀工艺研制出了不需P型掺杂技术的氧化镓垂直沟槽场效应晶体管结构。...