碳化硅(SiC)已成为工业电子领域最重要的宽禁带半导体之一,由于其高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优势,特别是对于功率半导体器件,碳化硅优于硅,更受青睐。成熟的商用碳化硅器件如碳化硅肖特基二极管和MOSFETs(金属氧化物半导体场效应晶体管),这些器件已应用于铁路、工业逆变器、航空航天、可再生能源风力涡轮机或光伏发电,以及电动或混合动力汽车等领域。...
高性能聚合物OFETs通常采用顶栅结构,电荷在聚合物薄膜的最上层传输(图1a)。在采用顶栅结构的条件下,为确保电子和空穴的有效注入用于双极性电荷传输,必须采用分离的底部接触,而这会导致某些问题,如产生接触附近的缺陷,恶化性能、稳定性和均匀性,还需采用额外的工艺来连接下面的源极/漏极(S/D)。为什么不采用硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFETs)中的顶触式方案呢?...
标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为:结型场效应管,多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管,双栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方:源极,下方:漏极,左方:栅极,右方:主体。电压导致沟道形成的细节没有画出 掺杂FET(解释如下)的沟道用来制造N型半导体或P型半导体。...
半导体器件.机械和气候试验方法.第30部分:可靠性测试前非密封表面安装设备预处理(IEC 60749-30-2005+A1-2011).德文版 EN 60749-30-2005+A1-2011DIN EN 61747-5-3-2010 液晶显示装置.第5-3部分:环境、耐久性和机械试验方法.玻璃强度和可靠性(IEC 61747-5-3-2009,修改件).德文版本EN 61747-5-3-2010DIN...
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