GJB 33/15-2011
半导体光电子器件 BT401型半导体红外发射二极管详细规范
Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type BT401 semiconductor infrared-emitting diode
GJB 33/15-2011 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- GJB 33/15-2011
- 发布
- 2011年
- 发布单位
- 国家军用标准-总装备部
- 当前最新
- GJB 33/15-2011
- 引用标准
- GJB 128A-1997 GJB 33A-1997 GJB 4027A-2006 SJ 2215-1982 SJ 2658-1986
- 本标准规定了BT401型半导体红外发射二极管（以下简称“器件”）的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购。
GJB 33/15-2011相似标准
推荐
王中林小组发明高效紫外发光二极管
据王中林介绍，力、电、光三相中的两相耦合比如光电、力电和光力耦合效应已经获得了人们的广泛关注和大量研究，很多基于这些耦合效应的新型纳米器件被研制出来。这是一个远比两相耦合复杂的耦合系统，因此有更多有趣的具有重大研究价值的效应需要人们去探索，更多的器件等待人们去开发。 研究人员将压电光电子学效应应用于紫外半导体发光二极管性能的改造中。半导体发光二极管的光发射由载流子的注入、复合和出射效率等决定。...
科学家开创有机半导体短波红外电致发光新方向
受半导体材料中光吸收和发射过程存在倒易关系启发，研究团队创造性地提出利用目前成为有机光伏电池受体材料的给体-受体-给体（A-D-A）型稠环有机半导体作为发光材料，制备高性能短波红外发光二极管。...
II族氧化物半导体光电子器件基础研究启动
作为第三代半导体的典型代表，II族氧化物半导体具有更大的激子结合能，有望实现室温激子型发光器件和低阈值激光器件。 近年来，我国在II族氧化物半导体方面的研究工作取得了一系列重大进展：以多种方法实现了氧化锌的p型导电特性；在国际上率先在廉价的蓝宝石衬底上实现了氧化锌同质结的电致发光，以及异质结的电注入受激发射和高性能的紫外光电探测等，与国外同类材料和器件的技术指标相比达到国际先进甚至领先水平。 ...
中红外光电子学材料与器件国际会议首次在中国召开
中红外量子级联激光器发明人之一J.Faist教授在大会特邀主题报告中指出，自1962 年发明基于带间跃迁的近红外半导体激光二极管以来，工作于0.8-1.5微米的近红外光电子材料和器件引领了光通信高新技术走上产业化，成为信息产业的重要支柱。继后，科学家继续努力，开拓波长位于2-25微米波段的中红外半导体激光器。...