分类(来源:2007年版的《军用电子元器件合格产品目录》)电阻最可靠的元件之一失效模式:开路、机械损伤、接点损坏、短路、绝缘击穿、焊接点老化造成的电阻值漂移量超过容差电位器失效模式:接触不良、滑动噪声大、开路等二极管集成电路失效模式:漏电或短路,击穿特性劣变,正向压降劣变,开路可高阻失效机理:电迁移,热载流子效应,与时间相关的介质击穿(TDDB),表面氧化层缺陷,绝缘层缺陷,外延层缺陷声表面波器件MEMS...
图6 电介质厚度对可伸缩电子器件的影响(a)对于不同SWNT来源,归一化饱和迁移率与不同介电厚度的函数关系;(b)栅极源在超速场中为恒定值的条件下,ID是介电厚度的函数,为了不同种类的半导体能提供相似的ID,含有HiPCO半导体器件的通道长度为200 μm,通道宽度为4000 μm,而含有PD和AD半导体的器件的通道长度为200 μm,通道宽度为400 μm。...
Au纳米颗粒浮栅突触晶体管(a)Au纳米颗粒突触晶体管的器件结构(b)Au纳米颗粒突触晶体管的促进和抑制行为(c)Au纳米颗粒的放电时间常数随沟道长度和纳米颗粒尺寸而变化1Figure 5.基于氧化物铁电材料的铁电门突触晶体管(a)具有向上和向下极化的铁电门突触晶体管的示意图。(b)在施加具有不同脉冲幅度和宽度的栅极电压之后,铁电栅极突触晶体管的电流。...
实验室致力于发展新一代具有竞争力的纳米技术,为工程技术人员提供一个良好的发展平台。实验室拥有奚立峰、毛军发院士等一流的师资,诚挚欢迎有志于相关方向的优秀人才前来申请。岗位职责1. 负责CMOS器件的加工测试:(a)通过选择合适的金属电极材料和栅极介电材料,制备出高性能PMOS和NMOS器件;(b) 优化加工工艺,改善P/NMOS性能;(c) 实现大规模阵列化器件的均一性和稳定性。2....
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