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典型的纳米晶体薄膜一般都有能限制自身效用的裂缝,使得科研人员无法测量这些材料的基本特性。 此次制成的无缺陷薄膜的导电率约为传统方法制成的有裂缝薄膜的180倍。科学家称,这一制造方法还能应用于硅表面,制成30纳米宽的薄膜。其诀窍在于使薄膜结构变得均匀,紧贴在二氧化硅基座上。这能通过在纳米晶体层沉积于硅表面之前,将稀薄的聚合物层覆盖在表面上实现。...
由于铅的毒性,寻找一种光电性能相当的无铅卤化物钙钛矿半导体材料具有重要的意义。稀土基卤化物钙钛矿是一类很有前途的材料。来自美国加利福尼亚大学最新研究中,作者展示了尺寸分布均匀的CsEuCl3纳米晶体。CsEuCl3纳米晶体的发光中心为435 nm,半峰宽为19 nm。此外,CsEuCl3纳米晶可以嵌入到聚合物基体中,从而在连续激光照射下增强稳定性。...
所以为了提高作用距离,应尽可能采用峰值功率高的激光器。激光脉冲宽度减小有利于提高时刻鉴别精度,有利于减少半导体激光器发热从而能提高重复频率。但激光脉冲宽度越小意味着相应的电信号带宽越宽,从而要求APD探测器、跨阻放大电路和压控放大电路的带宽越宽,半导体激光器的驱动电源输出电流脉冲越窄,所以选择激光脉冲时要综合考虑。作为激光测距系统的关键部件,激光器的选择十分关键。...
如图2c所示,在808nm的激发波长下,三种SOMs在900-1350nm都具有明亮的荧光,其中IDSe-IC2F 的吸收和发射波长都表现出红移,这可能是由于Se取代和F加成反应导致HOMO和LUMO之间的能隙减小造成的,并且IDSe-IC2F 的发射波长拖尾甚至超过1350nm。这三种SOMs都具有良好的量子产率分别为20.5%、19.8%、15.1%。...
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