KS C IEC 60747-4-1-2002
半导体器件.分立器件.第4-1部分:微波二极管和晶体管.微波领域有效晶体管.空白详细规范

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 4－1：Microwave diodes and transistors－Microwave field effect transistors－Blank detail specification

KS C IEC 60747-4-1-2002 发布历史

마이크로파 다이오드와 트랜지스터 중에서 마이크로파 전계 효과 트랜지스터에 관한 표준을

KS C IEC 60747-4-1-2002由韩国标准 KR-KATS 发布于 2002-12-31，并于 2002-12-31 实施。

KS C IEC 60747-4-1-2002 在中国标准分类中归属于: K46 电力半导体器件、部件，在国际标准分类中归属于: 31.080.30 三极管。

KS C IEC 60747-4-1-2002的历代版本如下：

• 2002年12月31日 KS C IEC 60747-4-1-2002 半导体器件.分立器件.第4-1部分:微波二极管和晶体管.微波领域有效晶体管.空白详细规范

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标准号

KS C IEC 60747-4-1-2002

发布日期

2002年12月31日

实施日期

2002年12月31日

废止日期

无

中国标准分类号

K46

国际标准分类号

31.080.30

发布单位

KR-KATS

适用范围

마이크로파 다이오드와 트랜지스터 중에서 마이크로파 전계 효과 트랜지스터에 관한 표준을

KS C IEC 60747-4-1-2002 中可能用到的仪器设备