GB/T 30867-2014
碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
GBT30867-2014, GB30867-2014
GB/T 30867-2014 发布历史
本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种方式。本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm~1 mm的碳化硅单晶片。
GB/T 30867-2014由国家质检总局 CN-GB 发布于 2014-07-24，并于 2015-02-01 实施。
GB/T 30867-2014 在中国标准分类中归属于: H83 化合物半导体材料，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 30867-2014 发布之时，引用了标准
- GB/T 14264 半导体材料术语
- GB/T 25915.1-2010 洁净室及相关受控环境 第1部分：空气洁净度等级
GB/T 30867-2014的历代版本如下：
- 2014年 GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
- 标准号
- GB/T 30867-2014
- 别名
- GBT30867-2014
GB30867-2014 - 发布
- 2014年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 30867-2014
- 引用标准
- GB/T 14264 GB/T 25915.1-2010
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