SJ/T 11470-2014
发光二极管外延片

Epitaxial wafers of light-emitting diodes


SJ/T 11470-2014 发布历史

本标准规定了可见光发光二极管外延片(以下简称外延片)的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本标准适用于镓砷磷系、镓铝砷系、铝镓铟磷系及铝镓铟氮系外延片。

SJ/T 11470-2014由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 2014-10-14,并于 2015-04-01 实施。

SJ/T 11470-2014 在中国标准分类中归属于: H83 化合物半导体材料,在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

SJ/T 11470-2014 发布之时,引用了标准

SJ/T 11470-2014的历代版本如下:

 

 

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标准号
SJ/T 11470-2014
发布日期
2014年10月14日
实施日期
2015年04月01日
废止日期
中国标准分类号
H83
国际标准分类号
29.045
发布单位
CN-SJ
引用标准
GB/T 2828.1-2003 GB/T 14264-2009 SJ/T 11395-2009 SJ/T 11396-2009 SJ/T 11471-2014
适用范围
本标准规定了可见光发光二极管外延片(以下简称外延片)的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本标准适用于镓砷磷系、镓铝砷系、铝镓铟磷系及铝镓铟氮系外延片。

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