陶瓷/金属元件是半导体器件微电子封装技术的基石。它已被用于制造封装衬底,广泛用于高功率和高电流密度电子产品。然而,随着现代电力电子技术的快速发展,电子器件的小型化和集成化导致功率密度增加,对基板的热性能和机械可靠性提出了更高的要求。近年来,氮化硅(Si3N4)陶瓷因其固有的性能以及高导热性等性能的改善而引起人们的关注,有望作为下一代高功率电子器件衬底材料。...
SiC作为一种宽禁带半导体材料,不但击穿电场强度高、热稳定性好,还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点,可以用来制造各种耐高温的高频、高效大功率器件,应用于Si器件难以胜任的场合。 以SiC等为代表的第三代半导体材料,将被广泛应用于光电子器件、电力电子器件等领域,以其优异的半导体性能在各个现代工业领域都将发挥重要革新作用,应用前景和市场潜力巨大。...
瑞士洛桑联邦理工学院的Elison Matioli及其同事描述了一种集成冷却方法,其中基于微流体的散热器与电子器件一起设计,并在同一半导体衬底内制造。作者报告说,其冷却功率最高可达传统设计的50倍。他们总结说,通过消除对大型外部散热器的需求,这种方法还可以使更多的紧凑电子设备(如电源转换器)集成到一个芯片上。微芯片内的集成液体冷却系统 | 来源:Matioli et al....
“采用宽禁带半导体即碳化硅和氮化镓,是太阳能逆变器的制胜之道,”Lux Research分析师Pallavi Madakasira表示,“采用SiC和GaN器件带来的性能优势是如此之多,以至于逆变器厂商能够在显著降低均化电力成本的同时,收取更高的价格。” ...
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