GB/T 4023-2015
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管

Semiconductor devices Discrete devices and integrated circuits Part 2: Rectifier diodes

GBT4023-2015, GB4023-2015


标准号
GB/T 4023-2015
别名
GBT4023-2015, GB4023-2015
发布
2017年
采用标准
IEC 60747-2:2000 IDT
发布单位
国家质检总局
当前最新
GB/T 4023-2015
 
 
引用标准
GB/T 17573 GB/T 2900.66
被代替标准
GB/T 4023-1997
适用范围
本部分给出下列各类或各分类器件的标准,整流二极管包括: ————雪崩整流二极管;可控雪崩整流二极管; ————快开关整流二极管。

GB/T 4023-2015相似标准


推荐

29个半导体国家标准即将实施,12月1日有12个国标开始实施!

国家标准《半导体器件 16-5部分:微波集成电路 振荡器》 由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口,TC78SC2(全国半导体器件标准化技术委员会半导体集成电路分会)执行 ,主管部门为工业信息化部(电子)。  ...

二极管三极管的命名原则

一、 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。...

常见的有源电子器件

1、分立器件   (1)双极型晶体(BipolarTransistor),一般简称三极管,bjt   (2)场效应晶体管(FieldEffectiveTransistor)   (3)晶闸管(Thyristor),也叫可控硅   (4)半导体电阻与——用集成技术制造的电阻电容,用于集成电路中   2、模拟集成电路器件   模拟集成电路器件是用来处理随时间连续变化的模拟电压或电流信号的集成电路器件...

专家访谈 | 广电计量陆裕东:第三代半导体未来5年将是发展关键期

今年发布的《国民经济社会发展第十四个五年规划2035年远景目标纲要》将“集成电路先进工艺绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等特色工艺突破”、“碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”写入了“科技前沿领域攻关”部分。 ...

GB/T 4023-2015 中,所使用到的仪器:

 

天士立 功率器件安全工作区测试系统 ST-FBSOA_X

GB/T 4023-2015 中可能用到的仪器设备


谁引用了GB/T 4023-2015 更多引用





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号