GB/T 11094-1989
水平法砷化镓单晶及切割片
Boat-grown gallium arsenide single crystals and As-cut slices
GBT11094-1989, GB11094-1989
2008-02
GB/T 11094-1989 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- GB/T 11094-1989
- 别名
- GBT11094-1989
GB11094-1989 - 发布
- 1989年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 替代标准
- GB/T 11094-2007
- 当前最新
- GB/T 11094-2020
- 本标准规定了水平法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于水平法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用。
GB/T 11094-1989相似标准
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半导体材料的应用介绍
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半导体材料的制备方法
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解析半导体材料的种类和应用
悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。...