SJ/T 11494-2015
硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法

Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities

SJT11494-2015, SJ11494-2015

SJ/T 11494-2015 发布历史

SJ/T 11494-2015由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 2015-04-30，并于 2015-10-01 实施。

SJ/T 11494-2015 在中国标准分类中归属于: H82 元素半导体材料，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

SJ/T 11494-2015 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法的最新版本是哪一版？

最新版本是 SJ/T 11494-2015 。

SJ/T 11494-2015 发布之时，引用了标准

• GB/T 13389 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
• GB/T 24581 硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法*， 2022-03-09 更新

* 在 SJ/T 11494-2015 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。

SJ/T 11494-2015的历代版本如下：

• 2015年 SJ/T 11494-2015 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法

本标准规定了硅单晶中硼、磷杂质的光致发光测试方法。本标准适用于低位错密度(< 500个/cm)硅单晶中导电性杂质硼、磷含量的测定,同时也适用于检测硅单晶中含量为1×10 at • cm~5×10 at·cm的各种电活性杂质。

标准号

SJ/T 11494-2015

别名

SJT11494-2015
SJ11494-2015

发布

2015年

发布单位

行业标准-电子

当前最新

SJ/T 11494-2015

 

 

引用标准

GB/T 13389 GB/T 24581

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