研究人员采用Au@MoS2异质结用于等离子体增强光电探测器。研究人员探索了他们在不同类型的感光设备上的良好应用。第一类器件涉及到一个大面积的交叉场效应光电晶体管的开发,显示出了比平面的MoS2晶体管高10倍的光反应率。另一种类型的设备几何形状是硅支持的Au@MoS2异质结光电二极管。...
目前,光电检测器分为两类,分别是光电二极管和光电晶体管,二者各有所长。西班牙光子科学研究所的Frank H. L. Koppens和Gerasimos Konstantatos(通讯作者)等人将胶体光电二极管整合到石墨烯光电晶体管上方得到了一种混合光电检测器。...
驱动和切换显示器时,大的光电流和高的光电流/暗率均不可或缺。从结构角度来看,通常使用两种类型的光传感器,即光电二极管类型和光电晶体管类型。光电二极管是具有两端电极的半导体器件。该结构的简单性便于制造和操作。光电二极管通常具有快速的响应时间,在直接间隙半导体的情况下,可以微秒或更小的值测量。1951年由William Shockley率先推出的光电晶体管是三端器件;光电晶体管使用光子流作为附加终端。...
由于可以广泛用于光学成像,空间光通信,导弹制导和定位导航等领域,作为现代光电设备中关键组件的光电探测器(PD)近年来已引起越来越多的研究兴趣。目前,商用光电探测器主要基于Si光电二极管,是因为它的低成本和与高度成熟的硅工艺带来的高度兼容性。...
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