当三极管功率增益等于1时的工作频率hFE---共发射极静态电流放大系数hIE---共发射极静态输入阻抗hOE---共发射极静态输出电导h RE---共发射极静态电压反馈系数hie---共发射极小信号短路输入阻抗 hre---共发射极小信号开路电压反馈系数hfe---共发射极小信号短路电压放大系数hoe---共发射极小信号开路输出导纳IB---基极直流电流或交流电流的平均值Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值...
这些特征使得CNT在集成电子和光电子学方向具有可观的发展,主要包括:电驱动发光二极管,PV检测器和功能性集成电路。...
(2)动态测试:主要测试 SiC 器件在开通关断过程中的性能。通常我们希望的功率半导体器件的开关速度尽可能得高、开关过程段、损耗小。但是在实际应用中,影响开关特性的参数有很多,如续流二极管的反向恢复参数,栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容、栅极电荷的存在,所以针对于此类参数的测试,变得尤为重要。开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性。直接影响变换器的性能。...
它是一种能够产生一定波形、频率和幅度的振荡器。例如:产生正弦波、方波、三角波、斜波和矩形脉冲波等。 3.晶体管特性图示仪 晶体管特性图示仪是一种专用示波器,它能直接观察各种晶体管特性曲线及曲性簇。例如:晶体管共射、共基和共集三种接法的输入、输出特性及反馈特性;二极管的正向、反向特性;稳压管的稳压或齐纳特性;它可以测量晶体{HotTag}管的击穿电压、饱和电流、自或a参数等。 ...
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