该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精度,也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。...
该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精度,也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。 ...
二、计量特征1 逆反射测量值1.1逆反射标志标准器逆反射系数逆反射标志参考标准器和工作标准器的量值,一型、二型和三型应分别满足GB/T18833中V类、III类I放光膜的光度性能要求,其逆反射系数不应小于表1规定。...
二、计量特征1 逆反射测量值1.1逆反射标志标准器逆反射系数逆反射标志参考标准器和工作标准器的量值,一型、二型和三型应分别满足GB/T18833中V类、III类I放光膜的光度性能要求,其逆反射系数不应小于表1规定。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号