BS EN 61340-5-1:2016由英国标准学会 GB-BSI 发布于 2016-12-31,并于 2016-12-31 实施。
BS EN 61340-5-1:2016 在中国标准分类中归属于: A42 物理学与力学,L04 基础标准与通用方法,在国际标准分类中归属于: 17.220.99 有关电学和磁学的其他标准,29.020 电气工程综合。
BS EN 61340-5-1:2016 静电 保护电子设备免受静电现象的影响 一般要求的最新版本是哪一版?
最新版本是 BS EN 61340-5-1:2016 。
* 在 BS EN 61340-5-1:2016 发布之后有更新,请注意新发布标准的变化。
保护设备免受静电放电影响的问题对制造厂和用户来说都是相当重要的。 随着微电子原件的广泛应用,为了提高产品和系统的可靠性,迫切需要确定这一问题的各种因素,寻找一种解决方法。 静电的积累以及随后放电的问题由于不可控制的环境条件以及设备和系统在厂矿中的广泛使用而变得更加令人关切了。 无论什么时候人员对附近物体发生静电放电时,设备都可能遭受电磁能量的侵害。...
5-5部分:保护电子设备免受静电现象影响-电子制造中使用的封装系统5TIS 3458 Part 5(3)-2565静电学-第5-3部分:保护电子设备免受静电现象影响-用于静电放电敏感设备的封装的性能和要求分类6TIS 3458 Part 5(2)-2565静电学-第5-2部分:保护电子设备免受静电现象影响-用户指南7TIS 3457-2565剩余电流动作保护装置的一般安全要求8TIS 3449 Part...
电子产品包装—保护其免受电磁干扰 第三应用领域便是电子领域的电子产品包装和运输系统。电子元件需要特别的保护好,因为峰值电压迅速排出可能会损坏电子元件。电子元件还可能被静电充电破坏。含有抗静电母粒的包装材料可使电子元件同时免受以上两种方式损坏。这些包装材料包括运输纸盒和袋子,包括小型电子部件如微芯片的气泡膜袋,手机、电路板、驱动器和其他电子设备的可重复密封的袋子等。 ...
如果一个元件的两个针脚或更多针脚之间的电压超过元件介质的击穿强度,就会对元件造成损坏,这是MOS器件出现故障最主要的原因。MOS器件的氧化层越薄,元件对静电放电的敏感性也越大。由静电引起的MOS器件故障通常表现为元件本身对电源有一定阻值的短路现象。对于双极性元件,损坏一般发生在薄氧化层隔开的已进行金属喷镀的有源半导体区域,静电引起的击穿会产生电流严重泄露的路径。...
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