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将互连线路(连接芯片上不同电子元件的金属线)的尺寸最小化,对设备的小型化至关重要。互连线是由不导电(介质)层彼此隔离的。到目前为止,研究主要集中在降低尺度互连线路的电阻上。而互连隔离材料,必须具有较低的相对介电常数(κ值),作为阻挡金属向半导体迁移的扩散屏障,并且在热、化学和机械上都是稳定的。具体来说,国际设备和系统路线图建议到2028年开发出κ值小于2的电介质。...
SiC功率模块的衬底尺寸主要取决于芯片的面积大小,绝缘衬底常规厚度在0. 03 mm,翘曲率在3 mil/in,陶瓷材料用作绝缘衬底采用直接覆铜技术。金属层边缘采用台阶状可有效减小应力,台阶高度应为铜层的一半。基板主要趋势是使用高性能材料,减少层数和界面的数量,同时保持电、热和机械特性。绝缘金属基板(IMS)和IMB基板仅用于中低功率模块,如EV/HEV等。...
应力迁移(Stress Migration)引子:铜互连替代铝互连,虽然铜的电阻率较低,抗电迁移和应力迁移能力强,但应力迁移诱生空洞,导致电阻增大甚至完全断裂出现条件:应力梯度—绝缘介质与铜之间的热失配所致位置:通孔和金属连线边缘等应力集中区域影响因素:应力、应力梯度、互连结构、工作温度、金属介质界面粘附性、互连材料的微观结构铜导线上的应力迁移空洞(2)电致失效电迁移(Electronic Migration...
通常测量材料介电常数和介质损耗角正切的方法有二种:交流电桥法和Q表测量法,其中Q表测量法在测量时由于操作与计算比较简便而广泛采用。...
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