三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电结。...
p-n结光电二极管的电流-电压特征p-n结光电二极管的电流-电压关系特征分为正向偏压和反向偏压。p-n结光电二极管在反向偏压状态下工作时,施加在二极管上的电位差抑制电流。有些已封装光电二极管有一个很方便的特性,即插入封装的电池可以提供反向偏压。理想情况下,如果没有光入射在反向偏压的光电二极管上,就没有电流。但现实情况是,光电二极管半导体材料中的随机过程总会产生载流子(电子和空穴),从而产生电流。...
(3)饱和导通状态:增大基极电流以致于集电极电流达到最大后,集电极电流已不受基极电流控制。二极管集电极和发射极之间相当于一个接通的开关,称为饱和导通状态。三、肖特基二极管工作特性: 1.正向性:外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场得阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。...
存在于真空发射管和半导体器件中,属于白噪声。 2、热噪声:暗电流大小与偏压、温度及反向饱和电流密切相关。PN结外加正向偏压,暗电流随外加电压增大成指数急剧增大,远大于光电流,因此加正偏压无意义。PN结外加反向偏压,暗电流随反向偏压增大有所增大,最后等于反向饱和电流,其值远小于光电流。 3、产生-复合噪声:半导体中载流子产生与复合的随机性而引起的载流子浓度的起伏。...
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