SJ/T 2658.8-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第8部分:辐射强度

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 8: Radiant intensity

 

 

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 SJ/T 2658.8-2015 前三页，或者稍后再访问。

如果您需要购买此标准的全文，请联系： 。

点击下载后，生成下载文件时间比较长，请耐心等待......

 

 

 

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 SJ/T 2658.8-2015 前三页，或者稍后再访问。

点击下载后，生成下载文件时间比较长，请耐心等待......

 

下载 预览页

购买全文，请联系:

标准号
SJ/T 2658.8-2015
发布
2015年
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ/T 2658.8-2015
 
 
引用标准
CIE 127-1997 GB/T 2900.65-2004 SJ/T 2658.1
被代替标准
SJ 2658.8-1986
适用范围
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射强度的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

SJ/T 2658.8-2015相似标准

SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分:辐射强度空间分布和半强度角 SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分:辐射通量 SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分:辐射功率 GOST 19834.4-1979 红外辐射半导体二极管.辐射功率测量方法 SJ/T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分:辐射功率温度系数

推荐

工信部批准公布563项行业标准 多项与仪器分析方法相关

2021-07-01SJ/T 11777-2021半导体管特性图示仪校准仪技术要求和测量方法本标准规定了半导体管特性图示仪校准仪的术语和定义、技术要求、测量方法。2021-06-01SJ/T 10551-2021电子陶瓷用三氧化二铝中杂质的发射光谱分析方法本标准规定了电子陶瓷用三氧化二铝中杂质的发射光谱分析方法。本标准适用于电子陶瓷用三氧化二铝中二氧化硅、三氧化二铁、氧化镁、氧化钙杂质的测定。...

标准 | 7项行业标准和3项国家标准正在报批公示

数字音频特性的通用测量条件和测量方法见SJ/T 11180.1《音频和视听设备 数字音频部分 音频特性基本测量方法 第1部分：总则》。IDT IEC 61606-2:20094. SJ/T 11180.3-2019音频和视听设备 数字音频部分 音频特性基本测量方法 第3部分:专业级应用本标准规定了专业音频和视听设备的数字音频部分的音频特性的基本测量方法。...

谁引用了SJ/T 2658.8-2015 更多引用

SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分:辐射强度空间分布和半强度角


Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证：京ICP证110310号