半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法, 您可以免费下载预览页
在 InP 晶体中,半绝缘的形成机理大致可概括为两个方面:一是通过掺入深受主(元素)补偿浅施主来实现半绝缘态,原生掺铁的半绝缘磷化铟就属于这种情况;另一种是通过新缺陷的形成使浅施主的浓度降低,同时驻留的深受主(元素)也发生补偿,非掺杂半绝缘磷化铟就属于这一类,这种新缺陷可以在高温退火以及辐照等过程中形成。...
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